長江存儲:計劃今年擴產一倍 並率先生產192層3D NAND閃存

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據外媒報道,長江存儲計劃今年將產量提高一倍,並準備試產192層NAND快閃記憶體晶片。

消息指出,長江存儲計劃到下半年將每月的存儲芯片產量提高到10萬片晶圓,約占全球總產量的7%,這將有助於該公司縮小與全球先進制造商之間的差距。據悉,三星電子目前每月約生產48萬片晶圓,而美光的月產能約為18萬片。

此外,長江存儲還準備試產192層NAND快閃記憶體晶片,最快將於2021年中試產,這將是中國半導體業者首次試產這類晶片。不過因先進工藝的復雜性,需要時間確保量產芯片質量,這一計劃有可能會被推遲到今年下半年。據瞭解,如三星、美光等市場一流供應商目前仍在開發176層3D NAND晶片,而當前可量產的最先進版本為128層NAND晶片。

2020年4月,長江存儲宣佈其128層QLC 3D NAND閃存研發成功,並已在多傢控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。這標志著國內3D NAND領域正式進入國際先進水平。

據消息人士透露,2020年三季度以來,長江存儲一直忙於引進與安裝必要的生產設備與擴大生產線。目前長江存儲同時生產64層與128層3D快閃記憶體晶片,但將逐步將更多產能轉向後者。

一名消息人士還指出,長江存儲的128層芯片的良率目前在70%左右,仍有提高的空間。不過,半導體行業的另一位高管則表示,“這已經是一個重大突破,但長江存儲仍需要大量的企業合作,同時等待全球頂級客戶接受並采用其NAND閃存產品。”

據悉,長江存儲一期項目於2019年產能達到2萬片/月,2020年擴產至5萬片/月以上水平,預計一期項目未來將達到10萬片/月產能,另外二期土建已於2020年6月開工,兩期產能規劃共30萬片/月。

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